giunzione
Biologia
giunzioneG. cellulare Struttura evidenziabile al microscropio elettronico a livello delle membrane cellulari, che permette la coesione e la comunicazione fra le cellule. In molti tessuti epiteliali si osserva un complesso di g. che si possono distinguere in: g. occludente (zonula occludens o tight junction), che costituisce uno strato impermeabile, in cui gli strati esterni delle membrane delle due cellule sono fusi, con la formazione di un’unica membrana a 5 strati e l’obliterazione completa dello spazio intercellulare; g. aderente (zonula adhaerens) in cui le membrane cellulari si allontanano fino a 200 Å; in prossimità di esse si trovano addensamenti del citoplasma, costituiti da filamenti; desmosomi distinti dalle precedenti strutture per la presenza di una lamina densa aderente allo strato interno delle membrane e per i limiti ben definiti.
giunzioneG. discontinue (gap junctions) Strutture osservate fra diversi tipi di cellule (epiteliali, miocardiche, nervose, fibrocellule muscolari lisce ecc.) che permettono il passaggio diretto di piccole molecole idrosolubili di peso molecolare inferiore a 1500 fra due cellule vicine. Sono caratterizzate da elevata conducibilità elettrica e sono costituite da proteine che protrudono dalla membrana cellulare formando strutture di connessione dette connessoni (➔ connessina). Si differenziano dalle g. occludenti per la presenza di uno spazio intercellulare di 2-4 nm da cui il nome di gap junctions.
Tecnica
Regione di contatto o di transizione fra due conduttori metallici o tra un metallo e un semiconduttore o tra due semiconduttori di tipo diverso. In elettronica, per la realizzazione di componenti a semiconduttore (diodi, transistori, circuiti integrati monolitici ecc.), assumono particolare importanza le g. p-n, ottenute drogando due zone adiacenti di uno stesso monocristallo, tipicamente di silicio o di germanio, con impurità di tipo opposto tra loro, ‘accettrici’ per formare le regioni p e ‘donatrici’ per quelle n. Qualunque sia il processo tecnologico impiegato, è in ogni caso essenziale che il cristallo iniziale di semiconduttore sia unico, per non avere soluzioni di continuità reticolari a cavallo della g., che potrebbero comprometterne il funzionamento. La realizzazione pratica di g. p-n (o anche p+-p e n-n+, ove il segno + indica una regione a drogaggio più intenso del normale) può avvalersi di tecniche diverse, la cui scelta è determinata dall’impiego cui la g. è destinata. I processi tecnologici industriali attualmente in uso sono quelli a diffusione epitassiale, a diffusione planare, planare-epitassiale e di impiantazione ionica.
La g. diffusa, o per diffusione, si realizza in due distinte fasi: nella prima, di deposizione, la piastrina di semiconduttore estrinseco è riscaldata in un’atmosfera di vapore contenente un drogante di tipo opposto (per es., fosforo per il silicio p; boro per quello n), i cui atomi si depositano sulla superficie libera del chip; nella seconda, di diffusione vera e propria, la piastrina è riscaldata in atmosfera inerte a una temperatura prossima a quella di fusione, per cui gli atomi di drogante depositati diffondono verso l’interno generando per sovracompensazione uno strato superficiale di tipo opposto a quello iniziale, con spessore dipendente dalla temperatura e dalla durata della fase di diffusione. Spesso a questa segue anche una fase finale di attacco chimico con acido fluoridrico dei bordi laterali del chip che, riducendo la superficie della g. (fig. 1) e quindi la sua capacità equivalente, allarga il campo delle frequenze di impiego dei componenti realizzati.
La g. epitassiale è ottenuta sottoponendo la piastrina, riscaldata a elevata temperatura, a un flusso di vapore contenente un composto volatile del semiconduttore e del drogante voluto (➔ epitassiale, deposizione); caratteristica del processo epitassiale è la possibilità di ottenere drogaggi particolarmente uniformi delle diverse regioni per cui, seppur impiegabile per realizzare g. di tipo p-n, trova impiego particolare nel creare g. p+-p o n+-n nel substrato di transistori e di circuiti integrati monolitici.
La g. planare si ottiene ‘mascherando’ opportunamente la piastrina di semiconduttore con uno strato superficiale di passivazione, attuato secondo appropriate configurazioni geometriche, in modo che il drogaggio in profondità, realizzato con la tecnica della g. diffusa, non interessi tutta l’area del chip ma solo determinate regioni. A tale fine, la diffusione delle impurità droganti è preceduta (fig. 2) da una fase di ossidazione della piastrina, che dà luogo alla formazione di un compatto strato superficiale isolante, e da una fase di asportazione selettiva del biossido nelle zone, dette finestre, attraverso le quali si vuole diffondere il drogante, realizzata mediante tecniche di fotoincisione.
La g. planare-epitassiale rappresenta un’ulteriore evoluzione della tecnica planare e si differenzia da questa per il fatto che il substrato di partenza del processo non è uniforme ma è ottenuto da una lamina di semiconduttore fortemente drogato, e quindi a bassa resistività, sulla quale è accresciuto epitassialmente un sottile strato dello stesso tipo ma a densità di drogaggio più basso; è sullo strato epitassiale che, per diffusione planare, viene ottenuta la giunzione. I transistori realizzati con tale procedimento sono caratterizzati da resistenza di saturazione più bassa e sopportano tensioni inverse più elevate. Il processo di impiantazione ionica, che consiste nell’inviare ad alta velocità ioni dell’elemento drogante su una lamina di materiale semiconduttore, consente di controllare, in modo estremamente preciso, sia il dosaggio delle impurità sia la loro profondità di penetrazione (➔ impiantazione).
Telecomunicazioni
giunzioneLinea di g. Linea di collegamento tra due centrali telefoniche: riceve particolari denominazioni in relazione al servizio che su di essa si svolge o alle caratteristiche tecniche. Nelle grandi reti telefoniche policentriche urbane, l’insieme delle linee di g. che collegano tra loro le varie centrali, costituisce la rete di g., così denominata in contrapposto alla rete di distribuzione che collega gli utenti alle centrali; e in conseguenza i cavi di g. si distinguono dai cavi di distribuzione.