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impiantazione

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In fisica e nella tecnica elettronica, i. ionica è il processo tecnologico per il drogaggio delle lamine di semiconduttore (tipicamente, di silicio) nella realizzazione di transistori speciali e di circuiti integrati monolitici. Diffuso anche a livello industriale per la produzione di componenti elettronici attivi con caratteristiche particolarmente spinte, il processo consiste essenzialmente nell’inviare ad alta velocità ioni dell’elemento drogante (di solito, fosforo per ottenere regioni di tipo n e boro per quelle di tipo p) su una lamina di materiale semiconduttore intrinseco (per es., silicio); regolando opportunamente la densità e la velocità di impatto degli ioni, si possono controllare in modo estremamente rigoroso sia il dosaggio delle impurità sia la loro profondità di penetrazione, anche a livelli talmente ridotti da non poter essere ottenuti in maniera soddisfacente utilizzando i più comuni metodi di drogaggio planare per diffusione.

Vedi anche
circùito integrato circùito integrato Circuito realizzato con un unico procedimento fisico-chimico, che consente di ottenere una elevata densità dei componenti in dimensioni molto ridotte. Il circuito integratoi. può essere di tipo elettrico, di tipo ottico o misto elettro-ottico; può essere realizzato su un unico supporto ... drogaggio Nel linguaggio tecnico e scientifico, introduzione di quantità controllate di atomi estranei in un composto puro (generalmente un cristallo), al fine di modificarne le proprietà. In particolare, nella preparazione dei semiconduttori estrinseci, la disseminazione in seno a un semiconduttore intrinseco ... silicio Elemento chimico scoperto da J.J. Berzelius nel 1810, appartenente al 6° gruppo del sistema periodico degli elementi; simbolo Si, numero atomico 14, peso atomico 28,06; ne sono noti gli isotopi stabili 2814Si (92,2%) 2914Si (4,7%) e 3014Si (3,1%); dopo l’ossigeno è l’elemento più abbondante della crosta ... semiconduttore In fisica, materiale che a temperatura ambiente (20 °C) presenta valori di conduttività elettrica compresi tra 104 e 10–6 S/m, intermedi quindi tra quelli propri dei conduttori metallici (dell’ordine di 107 S/m o più) e quelli propri degli isolanti (dell’ordine di 10–11 S/m o meno). Si tratta di una ...
Categorie
  • ELETTRONICA in Ingegneria
  • ELETTROLOGIA in Fisica
Tag
  • SEMICONDUTTORE INTRINSECO
  • CIRCUITI INTEGRATI
  • SILICIO
Vocabolario
impiantazióne
impiantazione impiantazióne s. f. [der. di impiantare, sull’esempio del fr. implantation e, per il sign. tecnico, dell’ingl. implantation]. – In senso generico, l’operazione di impiantare. In partic., nella fisica e nell’elettronica, i....
impianto
impianto s. m. [der. di impiantare]. – 1. Complesso di operazioni necessarie per la sistemazione di determinate attrezzature, per la costituzione di un’impresa o di un ufficio, di un negozio, e sim.: l’i. di un macchinario; l’i. della luce,...
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