Sigla di electron beam lithography, che in microelettronica indica un metodo per la realizzazione dei circuiti integrati, nel quale il disegno del layout è ottenuto per esposizione diretta della piastrina di silicio, preventivamente ricoperta da un film di materiale sensibile alle radiazioni (resist), a un fascio elettronico la cui deflessione e intensità sono controllate mediante calcolatore. Dopo l’esposizione, la piastrina è rimossa per i convenzionali processi di sviluppo e incisione. La tecnica dell’EBL permette di ottenere elevatissime risoluzioni, molto al di sotto del micrometro.