tecnologia silicon gate
tecnologia silicon gate
Processo tecnologico proposto da Federico Faggin nel 1968 che consente di realizzare circuiti integrati MOS (Metal oxide semiconductor), con gate al silicio autoallineante, più veloci, piccoli e affidabili dei circuiti bipolari. La tecnologia silicon gate rese possibile negli anni Settanta e Ottanta del secolo scorso lo sviluppo di tecnologie di integrazione dei chip come la LSI (Large scale integration) e la VLSI (Very large scale integration), portando alla produzione di circuiti integrati MOS su larga scala, con elevate prestazioni e a basso costo e, parallelamente, alla creazione di memorie a semiconduttori e alla nascita del microprocessore. È proprio grazie alla tecnologia silicon gate, sulla scia della rivoluzione portata dall’introduzione dei processi planari per la realizzazione di circuiti integrati, che fu possibile realizzare il primo microprocessore, ossia un circuito elettronico dotato di unità di elaborazione centrale completamente realizzata su singolo chip. Il processo planare, proposto da John Hoerni nel 1958 alla Fairchild semiconductor, consente la fabbricazione simultanea di un numero elevato di transistor sulla superficie di una fetta di silicio monocristallino. I transistor al silicio, molto più veloci di quelli al germanio precedentemente impiegati, sono disposti uno accanto all’altro in una struttura a matrice bidimensionale, con una netta riduzione del costo di fabbricazione. Connettendo i transistor tra loro, direttamente sulla fetta di silicio, fu ottenuto il primo circuito integrato, realizzato nello stesso anno da Jack Kilby della Texas instruments, seguito pochi mesi dopo da Robert Noyce della Fairchild, che fu però il primo a commercializzarlo. A metà degli anni Sessanta cominciò intanto a diffondersi il nuovo transistor metallo-ossido-semiconduttore (MOS). I primi dispositivi MOS, lenti e poco affidabili, migliorano notevolmente grazie a una nuova tecnologia sviluppata nel 1968 dal fisico italiano (emigrato negli Stati Uniti) Federico Faggin, dopo uno studio preliminare svolto da Tom Klein alla Fairchild. Successivamente, lo stesso Faggin, passato all’Intel Corporation, realizzò il primo microprocessore in tecnologia silicon gate, che fu chiamato dapprima MCS-4, poi 4004. Oggi la quasi totalità dei circuiti integrati prodotti si basa sulla tecnologia silicon gate.