La grande scienza. Microprocessori
Federico Faggin
Angelo Gallippi
Microprocessori
L'idea della fattibilità del microprocessore - ossia dell'intera 'unità centrale di elaborazione' (CPU, central processing [...] una superficie di 300 mm2 e consuma 60 watt.
A metà del 2002 la Intel commercializza l'Itanium 2 a 1 GHz, con 221 milioni di transistor (25 milioni dei quali per la logica e il resto per la memoria) in una superficie di 421 mm2 e tecnologia a 0,18 μm ...
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SEMICONDUTTORI
Francesco Paolo Califano-Fabrizio Galluzzi
(App. III, II, p. 692; IV, III, p. 300)
I s. hanno trovato larghissima applicazione nell'industria elettronica sotto forma di materiali monocristallini [...] . Il silicio amorfo è anche impiegato negli schermi piatti a cristalli liquidi, come materiale di base delle matrici di transistori a effetto di campo utilizzate per il pilotaggio. Analogamente possono essere realizzati in silicio amorfo i lettori di ...
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FET
FET 〈èf-i-ti o fèt〉 [ELT] Sigla dell'ingl. Field Effect Transistor con cui è internaz. noto il transistore a effetto di campo: v. transistori: VI 272 c. ...
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MOSFET
MOSFET 〈mòsfet〉 [ELT] Sigla della locuz. ingl. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor per indicare il transistore a effetto di campo realizzato con tecnica MOS: v. semiconduttori, dispositivi [...] a: V 163 a. ◆ [ELT] M. a canale n indotto e a canale p., a svuotamento, o normalmente spento e ad arricchimento, o normalmente acceso: v. semiconduttori, dispositivi a: V 163 b ...
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silicio stirato
silìcio stirato locuz. sost. m. – Nell’ambito dell’ottimizzazione della struttura dei transistor integrati, tecnica (strained silicon) in grado di migliorare notevolmente le prestazioni [...] in relazione alla maggiore mobilità dei portatori, specialmente gli elettroni, ottenibile grazie al passo reticolare modificato dello strato di silicio utilizzato per il canale. Su un substrato di silicio ...
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Microelettronica e nanoelettronica
Arnaldo D’Amico
Christian Falconi
Ubaldo Mastromatteo
Flavio F. Villa
L’elettronica a stato solido ha contribuito negli ultimi decenni allo sviluppo di molti dispositivi [...] deve superare 60 nm e lo spessore dell’ossido di gate deve essere di 1,5 nm. Il fatto che un transistor singolo raggiunga tali frequenze non significa assolutamente che l’intero circuito riesca a commutare così velocemente. Si devono, a tale riguardo ...
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JFET
JFET 〈gèi-èf-i-ti o gèi-fèt〉 [ELT] Sigla dell'ingl. Junction Field Effect Transistor "transistore a effetto di campo a giunzione": v. transistori: VI 277 c. ...
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MTL
MTL 〈èm-ti-èl o, all'it., èmme-ti-èlle〉 [ELT] Sigla dell'ingl. Merged Transistor Logic per indicare una famiglia di dispositivi elettronici logici integrati: v. circuiti elettronici integrati: I [...] 616 a ...
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RTL
RTL 〈ar-ti-èl o, all'it., èrre-ti-èlle〉 [ELT] Sigla dell'ingl. Resistor Transistor Logic per indicare una famiglia di dispositivi elettronici logici costituiti da resistori e transistori: v. circuiti [...] elettronici integrati: I 615 e ...
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transistor
transìstor s. m. [voce angloamer., transistor 〈tränsìstë〉, comp. di trans(it) «transito», poi inteso come trans(fer) «trasferimento», con allusione al transito o al trasferimento di cariche elettriche attraverso le varie zone del...
transistore
transistóre s. m. [adattam. dell’angloamer. transistor: v. la voce prec.]. – Dispositivo elettronico a semiconduttori che permette il controllo di un segnale di uscita da parte di un segnale d’ingresso, e che svolge tutte le funzioni...