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pantàl

Enciclopedia on line

pantàl Nome commerciale di leghe di alluminio, di composizione simile all’antico rodal contenenti magnesio (0,3-2%), silicio (2-5%), rame, manganese; impiegate per getti in conchiglia e in sabbia. ... Leggi Tutto
CATEGORIA: METALLURGIA E SIDERURGIA
TAGS: MANGANESE – ALLUMINIO – MAGNESIO – SILICIO – RAME

NANOSTRUTTURE

Enciclopedia Italiana - V Appendice (1993)

NANOSTRUTTURE Eugenio Mariani In questi ultimi anni il prefisso nano (che anteposto a un'unità di misura ne riduce il valore di 109, cioè alla miliardesima parte; v. unità, Sistemi di, App. IV, iii, [...] a produzioni orarie maggiori. Un altro sistema è quello della macinazione spinta del materiale, in mulini a palle. Nel caso del silicio e del ferro si è fatto ricorso a un plasma d'idrogeno, a bassa pressione, che consente di produrre granuli di 5 ... Leggi Tutto
TAGS: OSSIDO DI ALLUMINIO – MATERIALI COMPOSITI – UNITÀ DI MISURA – CONDENSAZIONE – DIELETTRICHE
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PROCLORITE

Enciclopedia Italiana (1935)

PROCLORITE Angelo Bianchi . Minerale della famiglia delle cloriti; come termine ricco di alluminio e ferro e povero di silicio, appartiene alla serie isomorfa delle ortocloriti. In cristalli pseudoesagonali [...] verde scuri, in aggregati vermicolari, in polvere lamellare si trova spesso nelle litoclasi di rocce granitiche o gneissiche alpine (Gottardo, Val Devero, Alto Adige, ecc.), con adularia, quarzo, titanite, ... Leggi Tutto

EBS

Dizionario delle Scienze Fisiche (1996)

EBS EBS 〈i-bi-ès o, all'it., é-bi-èsse〉 [ELT] Sigla dell'ingl. Electron Bombarded Silicon "silicio bombardato da elettroni" per indicare un tipo di fotomoltiplicatore ibrido: v. fotorivelatore: II 739 [...] d ... Leggi Tutto
CATEGORIA: ELETTRONICA

duralluminio

Enciclopedia on line

Lega di alluminio, rame (3,4-4,5%), magnesio (0,2-0,8%), manganese (0,4-1%), e silicio (0,3-0,6%), ideata e realizzata dal metallurgista tedesco Alfred Wilm nel 1910. Oggi la denominazione, più che in [...] senso specifico, è usata per una classe di leghe leggere la cui composizione si accosta più o meno a quella del d. originario, caratterizzate da ottime proprietà meccaniche dopo bonifica, cioè dopo tempra ... Leggi Tutto
CATEGORIA: CHIMICA INDUSTRIALE – STORIA DELLA CHIMICA – INDUSTRIA CHIMICA E PETROLCHIMICA – METALLURGIA E SIDERURGIA
TAGS: CORROSIONE – MANGANESE – MAGNESIO – SILICIO – TEMPRA
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impiantazione

Enciclopedia on line

In fisica e nella tecnica elettronica, i. ionica è il processo tecnologico per il drogaggio delle lamine di semiconduttore (tipicamente, di silicio) nella realizzazione di transistori speciali e di circuiti [...] di tipo n e boro per quelle di tipo p) su una lamina di materiale semiconduttore intrinseco (per es., silicio); regolando opportunamente la densità e la velocità di impatto degli ioni, si possono controllare in modo estremamente rigoroso sia il ... Leggi Tutto
CATEGORIA: ELETTROLOGIA – ELETTRONICA
TAGS: SEMICONDUTTORE INTRINSECO – CIRCUITI INTEGRATI – SILICIO

La grande scienza. Semiconduttori

Storia della Scienza (2003)

La grande scienza. Semiconduttori Franco Bassani Semiconduttori Il modo di comunicare e produrre nella società di oggi è stato a tal punto influenzato dalle tecnologie informatiche da indurre conseguenze [...] k sono uniformemente distribuiti e in numero uguale al numero di celle del cristallo (la metà del numero di atomi nel silicio e nel germanio, che hanno due atomi per cella elementare, ciascuno al centro di un tetraedro regolare). I valori degli stati ... Leggi Tutto
CATEGORIA: ELETTROLOGIA

Materiali amorfi

Enciclopedia della Scienza e della Tecnica (2007)

Materiali amorfi Sergio Pizzini Molti materiali di interesse applicativo presentano vistose deviazioni dalle proprietà ideali dei solidi cristallini. In alcuni di essi, il disordine nativo, caratterizzato [...] Si è comunque visto che è la cinetica delle reazioni superficiali che determina la velocità macroscopica del processo. Film di silicio possono essere depositati ad alta velocità di crescita, fino a 50 nm s−1 usando processi di sputtering da sorgenti ... Leggi Tutto
CATEGORIA: CHIMICA INDUSTRIALE
TAGS: DIFFERENZA DI POTENZIALE – TENSORE DEGLI SFORZI – RETICOLI DI BRAVAIS – TRANSIZIONE DI FASE – LUCE DI SINCROTRONE
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MICROELETTRONICA E NANOELETTRONICA

XXI Secolo (2010)

Microelettronica e nanoelettronica Arnaldo D’Amico Christian Falconi Ubaldo Mastromatteo Flavio F. Villa L’elettronica a stato solido ha contribuito negli ultimi decenni allo sviluppo di molti dispositivi [...] Tale riduzione è dovuta ai radicali -CH3 che sostituiscono l’ossigeno nei legami Si-O entro la struttura dell’ossido di silicio. In tale modo si ha un incremento del volume dell’ossido e corrispondentemente una diminuzione della sua densità e della ... Leggi Tutto

SCR

Dizionario delle Scienze Fisiche (1996)

SCR SCR 〈ès-si-ar o, all'it., èsse-ci-èrre〉 [ELT] Sigla dell'ingl. Silicon Controlled Rectifier "raddrizzatore controllato a silicio" per indicare il tiristore. ... Leggi Tutto
CATEGORIA: ELETTRONICA
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Vocabolario
silìcio
silicio silìcio s. m. [lat. scient. silicium, der. del lat. class. silex silĭcis: v. silice]. – Elemento chimico di simbolo Si, numero atomico 14, peso atomico 28,09, tetravalente, appartenente al quarto gruppo del sistema periodico: mai libero...
silicato
silicato s. m. [der. di silice, silicio]. – 1. Denominazione generica di un gruppo di minerali molto comuni ed estremamente diffusi come costituenti della maggior parte delle rocce della superficie terrestre, di origine generalm. magmatica,...
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