diffrazione di elettroni
Mauro Cappelli
Fenomeno diffrattivo che coinvolge particelle materiali come gli elettroni durante lo scattering elastico su materiali cristallini e che ha permesso la verifica [...] di elettroni di alta energia (RHEED, Reflection high-energy electron diffraction), una tecnica impiegata nel controllo della crescitaepitassiale di strati di materiale cristallino. A più alte energie (da 20 keV a 1 MeV) gli elettroni sono ...
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epitassia da fasci molecolari
Giuseppe La Rocca
Tecnica di crescita di materiali ed eterostrutture a semiconduttore per deposizione su un substrato in condizioni di vuoto ultra-alto (ca. 10−11 torr) [...] forma di fasci molecolari effusi da apposite celle di vaporizzazione (celle di Knudsen). In un apparato di crescitaepitassiale da fasci molecolari (Molecular beam epitaxy, MBE), le condizioni di deposizione, quali la temperatura del substrato e ...
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omoepitassia
omoepitassìa [Comp. di omo- e epitassia] [FSD] Crescita cristallina epitassiale con strati di accrescimento della stessa composizione chimica del substrato: v. cristalli, crescita di: II [...] 39 b ...
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epitassialeepitassiale [agg. Der. di epitassia] [FSD] Crescita e.: v. cristalli, crescita di: II 42 f. ◆ [FSD] Strato e.: quello ottenuto mediante epitassia. ...
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Solidi, fisica dei
JJacques Friedel
di Jacques Friedel
SOMMARIO: 1. Introduzione. □ 2. Principali proprietà macroscopiche delle fasi condensate: a) struttura macroscopica; b) onde macroscopiche. □ 3. [...] corrispondono a moti relativi degli atomi che non si annullano al crescere verso l'infinito della lunghezza d'onda. Se gli atomi sono gemello' se i due cristalli hanno la stessa struttura, uno ‛epitassiale' in caso contrario (v. fig. 8). Sia la ...
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Superreticoli
Ida Maria Catalano
Danilo Marano
I s. sono particolari eterostrutture a buche quantiche multiple (Multiple Quantum Well, MQW). Si tratta di strutture periodiche artificiali, costituite [...] dei medesimi, con particolare riferimento alla differenza fra le loro costanti reticolari. Infatti, quando si cresce un semiconduttore (strato epitassiale) su un altro (substrato), con la stessa costante reticolare, è facile ottenere il perfetto ...
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deposizione epitassiale
Sergio Carrà
Modalità di deposizione di un materiale solido nella quale l’ordine cristallografico del cristallo in crescita è determinato da quello del substrato monocristallino [...] o silano, attraverso la reazione:
SiH4 → Si(s) + 2H2
dove il deponente (s) indica il solido. Il meccanismo di crescita coinvolge diversi stadi che includono in particolare la diffusione del componente di riferimento dal cuore della fase gassosa alla ...
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