Magnetic tunnel junction

magnetic tunnel junction

<mäġnètik tḁ'nl ǧḁ'ṅkšën> locuz. sost. ingl., usata in it. al femm. – Dispositivo a giunzione magnetica a effetto tunnel, realizzato da due strati ferromagnetici separati da un materiale isolante molto sottile; è noto con la sigla MTJ. Il dispositivo si basa su un tipico fenomeno quantistico, l’effetto tunnel, che permette agli elettroni di passare da uno strato ferromagnetico all’altro (corrente di tunnel) attraverso la barriera costituita dall’isolante, anche se la loro presenza all’interno dell’isolante stesso è proibita. Il processo conserva lo spin e quindi avviene con efficacia soltanto se le magnetizzazioni dei due strati ferromagnetici sono parallele. Variando una delle due si cambia la resistenza elettrica del circuito dando luogo alla TMR (Tunneling magnetoresistance). Grandi sforzi dal punto di vista sia teorico sia sperimentale sono dedicati a comprendere il fenomeno tunnel in tali strutture. Il campo principale in cui dispositivi MTJ sono già applicati e in cui si prevede una rapida diffusione è quello delle memorie ad accesso casuale (RAM, Random access memory). L’informazione binaria è immagazzinata in elementi MTJ in cui uno dei due strati ferromagnetici è bloccato mentre l’altro è libero di orientarsi in un campo esterno: si hanno gli stati 0 o 1 a seconda che i due strati ferromagnetici siano paralleli (alta conducibilità) o antiparalleli (bassa conducibilità).