epitassia da fasci molecolari
epitassia da fasci molecolari
Tecnica di crescita di materiali ed eterostrutture a semiconduttore per deposizione su un substrato in condizioni di vuoto ultra-alto (ca. 10−11 torr) di componenti elementari sotto forma di fasci molecolari effusi da apposite celle di vaporizzazione (celle di Knudsen). In un apparato di crescita epitassiale da fasci molecolari (Molecular beam epitaxy, MBE), le condizioni di deposizione, quali la temperatura del substrato e la rotazione dello stesso o la sequenza di apertura delle celle di Knudsen, possono essere ottimizzate fino a ottenere campioni con la sequenza di crescita voluta e strutturalmente perfetti su scala atomica, e con il voluto contenuto di droganti. A tal fine è essenziale il controllo in situ del processo di crescita tramite diagnostiche quali la diffrazione per riflessione di elettroni di alta energia (Reflection high energy electron diffraction, ;RHEED). Tale tecnica ha consentito, in particolare, la crescita di nanostrutture a semiconduttore quali superreticoli e pozzi quantici. Rispetto ad altre tecniche di crescita epitassiali, quali la deposizione chimica da vapori organometallici (Metal-organic chemical vapour deposition, MOCVD), che non richiedono condizioni di vuoto ultra-alto, l’epitassia da fasci molecolari consente di ottenere i campioni di qualità e purezza più elevate, al prezzo di rese più lente e costi più alti.