Sigla dell’inglese electrically alterable read-only memory, che in elettronica indica un dispositivo di memoria a semiconduttore, analogo alla EPROM, ma di uso più versatile. I dati memorizzati nella E., sebbene possano essere soltanto letti e non modificati nelle condizioni normali di funzionamento, possono essere alterati un numero limitato di volte con un opportuno procedimento elettrico, indirizzando la singola cella che si intende modificare. La totale cancellazione può essere effettuata mediante l’applicazione di un opportuno campo elettrico.